來自韓國大學的研究人員已經(jīng)開發(fā)了一種簡單和微電子兼容的方法來生長石墨烯,并且公開宣布成功在硅基板上合成晶圓級(直徑為4英寸)、高質量和多層的石墨烯。方法是基于一個離子注入技術,該過程中是離子在加速電場下被加速,轟擊半導體基體。受影響的離子被改變了物理、化學或半導體等的電學性質。
離子注入技術在半導體材料中通常用于引入雜質。在這個過程中,碳離子在一個電場加速下,被轟擊到一個分層的表面,該表面由鎳、二氧化硅和硅在500攝氏度的溫度下形成。鎳層具有高溶碳性,被作為催化劑合成石墨烯。
轉自石墨烯網(wǎng)www.graphenes.net
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