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天津大學(xué)Weili Zhan課題組--石墨烯-硅-集成太赫茲超材料的非對(duì)稱Fano共振的主動(dòng)控制
      近年來,平面超材料因其在平面光學(xué)元件,超靈敏傳感器,激光濺射和非線性器件設(shè)計(jì)中的潛在應(yīng)用而被廣泛研究。最近的研究報(bào)道了通過光激發(fā)動(dòng)態(tài)控制基于光敏材料的超材料。但是,以前的大多數(shù)演示都依賴于單個(gè)刺激控制,并且通常需要大的通量和超快的光脈沖。此處,石墨烯與硅基板上的Fano諧振超表面集成在一起,可通過低功率連續(xù)波(CW)光學(xué)激發(fā)(λ= 532 nm)提供對(duì)太赫茲波的有源調(diào)制。更重要的是,混合石墨烯-硅系統(tǒng)通過施加偏壓和CW照明對(duì)硅進(jìn)行光摻雜實(shí)現(xiàn)“雙重控制”,從而改變了石墨烯的電導(dǎo)率,有效地調(diào)制了超材料的共振。具有共振超表面雙重控制特性的大型實(shí)時(shí)可調(diào)性可能是設(shè)計(jì)有源和功能太赫茲器件的有效途徑。
 

Figure 1. 超表面和等效電路示意圖。a) Gr-TASR超表面圖示。b) TASR單元的示意圖。c)制作的Gr-TASR單元顯微圖像。d) Gr-TASR單元的有效電路模型。
 
 
Figure 2. 用532 nm激發(fā)激光在石英基板上兩個(gè)不同位置的單層石墨烯拉曼光譜。
 
 
Figure 3. Gr-TASR設(shè)備的傳輸調(diào)制。在零偏置電壓下在有/無石墨烯的零和0.7 W cm-2光泵下Gr-TASR器件的a)測(cè)量傳輸和d)的模擬傳輸。在0.7 W cm-2光泵下模擬Gr-TASR器件的電壓相關(guān)b,c)測(cè)量傳輸和e,f)模擬傳輸。
 
 
Figure 4. 在0.7 W cm-2的光泵功率密度下,計(jì)算的Drude權(quán)重(粉紅色曲線)和載流子散射率(藍(lán)色曲線)與a)正偏置電壓和b)負(fù)偏置電壓的關(guān)系。
 
 
Figure 5. 模擬的電場(chǎng)和表面電流分布。在Fano共振頻率下a–c)絕對(duì)電場(chǎng)和d–f)表面電流的模擬分布.
 
     相關(guān)研究成果于2020年由天津大學(xué)Weili Zhan課題組,發(fā)表在Adv. Mater. Technol. ( https://doi.org/10.1002/admt.201900840)上。原文:Active Control of Asymmetric Fano Resonances with Graphene-Silicon-Integrated Terahertz Metamaterials
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