報(bào)告了石墨烯中最小位錯(cuò)環(huán)的結(jié)構(gòu)和傳輸特性，這被稱為花缺陷。首先，通過(guò)先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)成像技術(shù)，推斷出化學(xué)氣相沉積石墨烯的重結(jié)晶過(guò)程中如何形成花缺陷。提出花缺陷是由凸起類型的機(jī)理引起的，其中花域是動(dòng)態(tài)再結(jié)晶留下的晶粒。接下來(lái)，為了評(píng)估此類缺陷作為全石墨烯電子產(chǎn)品構(gòu)建基塊可能的用途，我們結(jié)合了多尺度建模工具來(lái)研究具有花朵缺陷隨機(jī)分布的大型單層石墨烯樣品的結(jié)構(gòu)以及電子和聲子的傳輸性質(zhì)。對(duì)于足夠大的花朵密度，發(fā)現(xiàn)強(qiáng)烈抑制了電子傳輸，而令人驚訝的是，空穴傳輸幾乎不受影響。這些結(jié)果表明花狀石墨烯可能用于電子能量過(guò)濾。對(duì)于相同的缺陷密度，由于缺陷引起的彈性散射占主導(dǎo)地位，聲子的傳輸量降低了幾個(gè)數(shù)量級(jí)。即使在非常低的濃度下，彎曲聲子（石墨烯的關(guān)鍵）的熱傳遞也被大大抑制。
Figure 1. （a）CVD石墨烯的HRTEM圖像。插圖：（a）中的快速傅立葉變換（FFT）和FFT所示的A方向的暗場(chǎng)圖像。（b）在素描的凸起成核機(jī)理中鑒定出對(duì)應(yīng)于階段II或III的石墨烯凸起。五邊形和七邊形分別以綠色和品紅色突出顯示。
Figure 2. （a-d）與花相關(guān)的尺寸增加的實(shí)驗(yàn)性缺陷。（e-h）DFT計(jì)算出與花朵相關(guān)的尺寸增加的缺陷：（e）單一花T
1、（f-g）帶有空位和原花的雙花，以及（h）三朵T
2。（i）一系列基于三角形的域T
n。
Figure 3. （a）在300 K的溫度下，單層石墨烯帶的電導(dǎo)率。（b）平均電導(dǎo)率與花濃度的關(guān)系。
Figure 4. （a）每個(gè)原子的狀態(tài)密度與能量的關(guān)系。（b）在E=-0.35 eV處的狀態(tài)密度（頂部）和局部光譜電流強(qiáng)度（底部）的局部變化，由（a）中的黃點(diǎn)表示。（c）與（b）相同，在E=0.2 eV時(shí)，由（a）中的綠點(diǎn)表示。（d）與（b）相同，在E=0.5 eV時(shí)，由（a）中的洋紅色點(diǎn)表示。
相關(guān)研究成果于2020年由格勒諾布爾-阿爾卑斯大學(xué)Alessandro Cresti課題組，發(fā)表在Carbon（doi.org/10.1016/j.carbon.2020.01.040）上。原文：Growth, charge and thermal transport of flowered graphene。
本帖摘自《石墨烯雜志》公眾號(hào)：
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