硅(Si)具有超高的理論容量4200 mAh g
−1，是高能量密度鋰離子電池(LIBs)最具前景的陽(yáng)極材料之一。然而，硅陽(yáng)極導(dǎo)電率低、體積膨脹大等缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其商業(yè)應(yīng)用。在此，我們提出了一種合成三維(3D)多孔Si@MXene@3-氨基丙基三乙氧基硅烷(SMA)復(fù)合電極的綜合策略?；陟o電自組裝和表面重構(gòu)策略，以3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)為偶聯(lián)劑，同時(shí)對(duì)納米Si和MXene納米片進(jìn)行表面重構(gòu)，成功制備了具有三維導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的SMA復(fù)合材料，具有快速的電子/離子傳導(dǎo)通路和較高的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。因此，SMA復(fù)合電極表現(xiàn)出極高的初始庫(kù)侖效率(ICE, 90.9%)，優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性(在電流密度為0.5 A g
−1的情況下，105次循環(huán)后的容量為2258 mAh g
−1)和良好的速率性能。綜上所述，基于三維導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)和表面重構(gòu)的合理策略提高了鋰電池Si陽(yáng)極的電化學(xué)性能。
圖1 (a) MXene納米片和(b) SMA復(fù)合材料的合成過(guò)程示意圖。
圖2. (a−c) SMA復(fù)合材料的SEM圖像。(d−f) SMA復(fù)合材料的TEM圖像。(g)納米Si和(h) MXene納米片的HRTEM圖像。(i) SMA復(fù)合材料的元素映射圖像。
圖3 (a, b) SMA復(fù)合材料、MXene和Si@APTES的XRD圖譜。(c)拉曼光譜。(d)不同材料的氮吸附-脫附等溫線。ζ電位(e)。(f)測(cè)量不同材料的XPS光譜。SMA復(fù)合材料的(g) Si 2p， (h) Ti 2p和(i) N 1s的高分辨率XPS光譜。
圖4. 表面重建合成過(guò)程(a)和與PAA結(jié)合過(guò)程(b)示意圖。
圖5 (a)在0.1 a g
−1時(shí)SMA復(fù)合電極、Si@APTES和原始Si電極的首次充放電曲線。圖5a中的插圖為三個(gè)電極的ICEs。(b) 0.1 A g
−1下SMA復(fù)合電極的前5個(gè)循環(huán)充放電曲線。(c)的CV曲線掃描速率為0.2 mV s
−1的SMA復(fù)合材料。(d)不同電流密度下的速率能力。(e) 4個(gè)電極在0.5 A g
−1下的循環(huán)性能。
圖6 (a)不同掃描速率(0.2 ~ 1.0 mV s
−1)下SMA復(fù)合電極的CV曲線)。(b) log(峰值電流)與log(掃描速率)的關(guān)系。(c)掃描速率為0.8 mV s
−1時(shí)，電容電荷存儲(chǔ)對(duì)SMA復(fù)合電極總?cè)萘康呢暙I(xiàn)。(d)不同掃描速率下的容量貢獻(xiàn)。
圖7 100次循環(huán)后(a−c)原始Si、(d−f) Si@APTES和(g−i) SMA復(fù)合電極的數(shù)字照片和SEM圖像。
相關(guān)科研成果由中南大學(xué)粉末冶金國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室Libao Chen等人于2022年發(fā)表在ACS Applied Energy Materials (https://doi.org/10.1021/acsaem.2c02500)上。原文：High-Capacity and Long-Lived Silicon Anodes Enabled by Three-Dimensional Porous Conductive Network Design and Surface ReconstructionSilylation。
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)
