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堪薩斯大學(xué)Wai-Lun和ChanHui Zhao等--混合異質(zhì)結(jié)構(gòu)在石墨烯中產(chǎn)生長壽命和移動(dòng)光載流子
       本研究報(bào)告了在由單層石墨烯、少數(shù)層過渡金屬二醇化物和有機(jī)半導(dǎo)體F8ZnPc形成的混合范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生長壽命和高度移動(dòng)的光載流子。通過在石墨烯膜上干燥轉(zhuǎn)移機(jī)械剝離的MoS2或WS2薄層薄片,然后沉積F8ZnPc來制備樣品。進(jìn)行瞬態(tài)吸收顯微鏡測量以研究光載流子動(dòng)力學(xué)。在F8ZnPc/多層MoS2/石墨烯的異質(zhì)結(jié)構(gòu)中,F(xiàn)8ZnPc中激發(fā)的電子可以轉(zhuǎn)移到石墨烯,從而與F8ZnPc中的空穴分離。通過增加MoS2的厚度,這些電子獲得了超過100 ps的長復(fù)合壽命和2800 cm2 V–1 s–1的高遷移率。在WS2作為中間層的情況下,還顯示了帶有移動(dòng)空穴的石墨烯摻雜。這些人造異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以提高石墨烯基光電子器件的性能。

 
圖1.(a) 由F8ZnPc、1L MoS2和石墨烯形成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的帶取向。左側(cè)的上下水平線表示F8ZnPc的LUMO和HOMO能級(jí)。橙色和灰色框表示MoS2和石墨烯的導(dǎo)帶和價(jià)帶。光激發(fā)電子(−)有望轉(zhuǎn)移到石墨烯,而空穴(+)位于F8ZnPc中。(b) F8ZnPc/WS2/石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能帶對(duì)準(zhǔn),允許石墨烯的空穴摻雜。(c) 強(qiáng)結(jié)合狀態(tài)下F8ZnPc/MoS2/石墨烯中的面內(nèi)載流子分布示意圖,其中F8ZnPc中的固定空穴阻止了石墨烯中電子的自由運(yùn)動(dòng)。(d) 在具有較厚MoS2中間層的弱結(jié)合狀態(tài)下,石墨烯中電子的顯著面內(nèi)擴(kuò)散。

 
圖2:(a–d)分別從n=1、2、3和4的F8ZnPc/nL-MoS2/石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)樣品測量的時(shí)空分辨差分反射率。(e–h)4個(gè)樣品的差分反射率的選定空間分布。對(duì)于(e),探測延遲為2.8(黑色)、10.2(紅色)、17.7(藍(lán)色)、25.1(粉色)和33.0 ps(綠色)。對(duì)于(f)、(g)和(h),探測延遲為5.5(黑色)、20.4(紅色)、35.3(藍(lán)色)、50.2(粉色)和65.0 ps(綠色)。實(shí)心曲線為高斯擬合。(i–l)空間分布方差隨探測延遲的變化。直線是線性擬合。

 
圖3.(a–d)分別從n=1、2、3和4的F8ZnPc/nL-WS2/石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)樣品測量的時(shí)空分辨差分反射率。(e–h)4個(gè)樣本的差分反射率的選定空間分布,探針延遲為5.7(黑色)、20.6(紅色)、35.5(藍(lán)色)、50.4(粉色)和65.4 ps(綠色)。實(shí)心曲線為高斯擬合。(i–l)空間分布方差隨探測延遲的變化。(i)中的藍(lán)色曲線是擬合曲線(見文本)。其初始斜率和最終斜率(紅線作為視線引導(dǎo))分別對(duì)應(yīng)于55和13 cm2 s–1的擴(kuò)散系數(shù)。

 
圖4.(a) 基于MoS2的異質(zhì)結(jié)構(gòu)樣品的峰值差反射率作為探針延遲的函數(shù),在泵浦點(diǎn)和探針點(diǎn)重疊的情況下測量。青色曲線為單指數(shù)擬合。(b) 推導(dǎo)出的衰減時(shí)間常數(shù)是MoS2層數(shù)的函數(shù)。(c) 由于空穴隧穿到石墨烯導(dǎo)致的電荷復(fù)合模型示意圖。(d、e和f)與基于WS2的異質(zhì)結(jié)構(gòu)樣品的(a)、(b)和(c)相同。

  
圖5.(a) nL-MoS2薄片的光學(xué)顯微鏡圖像。(b) MoS2薄片的不同區(qū)域的光致發(fā)光光譜如(a)所示。插圖顯示了薄片不同區(qū)域的光學(xué)對(duì)比度。

 
圖6.(a) nL-WS2薄片的光學(xué)顯微鏡圖像。(b)是 (a)中所示樣品不同區(qū)域的光致發(fā)光光譜。插圖顯示了薄片不同區(qū)域的光學(xué)對(duì)比度。

 
圖7.(a)CVD生長了不同厚度的1L MoS2和F8ZnPc膜。右圖顯示了從UPS光譜和報(bào)告的這些材料的帶隙得出的能級(jí)圖。(b) 與(a)相同,但MoS2被1L WS2代替。
 
        相關(guān)研究成果由堪薩斯大學(xué)Wai-Lun Chan和Hui Zhao等人2023年發(fā)表在ACS Nano (https://doi.org/10.1021/acsnano.2c12577)上。原文:Hybrid Heterostructures to Generate Long-Lived and Mobile Photocarriers in Graphene。

轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)
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