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墨爾本大學(xué)Dan Li等--二維納米材料的亞納米級堆積、密集還原氧化石墨烯膜的納米質(zhì)地演變的啟示
       將二維(2D)納米材料組裝成具有亞納米(subnm)層間間距的層狀膜,為研究一系列的納米融資效應(yīng)和探索與電子、離子和分子傳輸相關(guān)的技術(shù)應(yīng)用提供了一個材料平臺。然而,二維納米材料有強烈的重新堆積到其體晶狀結(jié)構(gòu)的趨勢,這使得在亞納米尺度上控制其間距具有挑戰(zhàn)性。因此,有必要了解在亞納米尺度上可以形成什么樣的納米質(zhì)點,以及如何在實驗中對其進(jìn)行設(shè)計。在這項工作中,以致密的還原氧化石墨烯膜為模型系統(tǒng),我們結(jié)合了基于同步輻射的X射線散射和離子電吸附分析,揭示了它們的亞納米堆積可以導(dǎo)致亞納米通道和石墨化團(tuán)塊的混合納米結(jié)構(gòu)。我們證明,這兩種結(jié)構(gòu)單元的比例、它們的尺寸和連通性可以通過還原溫度的堆疊動力學(xué)來設(shè)計,從而實現(xiàn)高性能的緊湊型電容式儲能。這項工作突出了二維納米材料的亞納米堆積的巨大復(fù)雜性,并提供了隨意設(shè)計其納米結(jié)構(gòu)的潛在方法。

 
圖1. 通過在20℃的HI溶液中直接還原GO膜來制備rGO膜并進(jìn)行電吸附表征。(a) 制備過程的示意圖。(b) SEM圖像顯示了HI還原的GO膜的橫截面。(c) C/O原子比的比較。(d) 片狀電阻率圖。(e) 干燥后的rGO膜的密度和平均層間間距(dave)與還原時間的關(guān)系。(f) 以5.0 mV s-1的掃描速率收集的CV曲線。 (g) 充電速率為1 A g-1和10 A g-1時的測重電容(Cwt-t)是還原時間的函數(shù)。(h) 通過物理化學(xué)傳輸模型從Nyquist圖中得到的內(nèi)部電阻(Rinternal)和擴(kuò)散層電阻(Rdiffuse)。(32)(i)Rinternal和Rdiffuse作為還原時間的函數(shù)圖。在1.0M H2SO4中以雙電極配置進(jìn)行了電吸附表征。

 
圖2. 不同還原時間的HI還原GO膜的SAXS表征。(a) 示意圖顯示X射線束的方向垂直于膜樣品的邊緣(左上),通過這個方向可以看到膜的橫截面的結(jié)構(gòu)信息(右上)。在不同的q范圍內(nèi)相應(yīng)的二維SAXS圖案(底部)。(b) 從二維SAXS圖案中提取的一維散射曲線,通過區(qū)域掩膜(灰色突出顯示)在定向方向上進(jìn)行平均。請注意,為了視覺上的清晰,曲線是用任意的強度值抵消的。(c) 高q區(qū)(q∼0.5-2.5 Å-1)的Kratky圖(Iq2 vs q)。(d) Kratky圖中確定的兩個相關(guān)距離的圖。(e) 兩個結(jié)構(gòu)單元的堆積高度(Lc)的比較:γ相和π相。(f) 來自二維SAXS圖案的一維散射曲線,通過區(qū)域掩膜在非定向方向上的平均化(用橙色突出)。(g) GO膜還原過程中的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變示意圖。

 
圖3. 溫度對rGO膜的納米紋理形成時間的影響。(a-b) 在70、40、20和3℃的還原溫度下,π相(a)和γ相(b)的Lc3與還原時間(t)的函數(shù)關(guān)系圖。t是對數(shù)尺度。虛線是對數(shù)據(jù)的線性擬合,其中斜率代表π相增長和γ相減弱的速率(k)。(c) ln(k)與1/T的函數(shù)關(guān)系圖,顯示出線性關(guān)系,決定系數(shù)(R2)高于0.973,表明k和T可以由阿倫尼烏斯方程準(zhǔn)確描述。(d) 不同T下π相和γ相的k的比較。

 
圖4. 通過還原動力學(xué)控制rGO膜中的納米晶體形成。(a-b)rGO-3-6d、rGO-20-48h和rGO-70-10min,其堆積密度為1.60 g cm-3,C/O為5.0(a),以及它們的XRD圖譜(b)。(c) 從高T(左)和低T(右)還原的rGO膜的結(jié)構(gòu)模型圖。π相用藍(lán)色標(biāo)記,γ相用方形標(biāo)記。(d-f) 三電極配置的rGO膜的電化學(xué)特征(參考電極:Ag/AgCl)。rGO-3-6d、rGO-20-48h和rGO-70-10min的Cwt-t與5至100 mV s-1的掃描速率的關(guān)系。(d)比較它們的Nyquist圖(e)和在5 mV s-1掃描速率下測量的CV曲線的電容貢獻(xiàn)。
 
       相關(guān)研究成果由墨爾本大學(xué)Dan Li等人2023年發(fā)表在ACS Nano  (https://doi.org/10.1021/acsnano.3c00155)上。原文:Subnanometric Stacking of Two-Dimensional Nanomaterials: Insights from the Nanotexture Evolution of Dense Reduced Graphene Oxide Membranes。

轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號
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