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華中科技大學(xué)、武漢光電國家研究中心Meng Deng等--石墨烯-二氧化硅混合波導(dǎo)上調(diào)Q脈沖的產(chǎn)生
       芯片上的調(diào)Q激光源為激光加工、測(cè)距和變頻應(yīng)用鋪平了道路。本文利用增加輸入光功率的單層石墨烯-二氧化硅混合波導(dǎo),實(shí)現(xiàn)了脈沖寬度為1.57 μs~ 5.06 μs、重復(fù)頻率為47.23 kHz ~ 85.33 kHz的調(diào)Q脈沖,最大單脈沖能量為56.5 nJ。通過在石墨烯-二氧化硅混合波導(dǎo)上涂覆聚甲基丙烯酸甲酯層,增強(qiáng)了石墨烯與波導(dǎo)中傳播光的相互作用。將調(diào)Q泵浦功率閾值降低了2.5倍,實(shí)現(xiàn)了脈寬為1.21 μs的調(diào)Q脈沖。此外,隨著泵浦功率的增加,還觀察到調(diào)Q鎖模脈沖。

 
圖1. (a) GSHW示意圖。(b)懸臂式二氧化硅波導(dǎo)的SEM圖像(c) GSHW的光學(xué)圖像。(d)在紅點(diǎn)處測(cè)量的GSHW的拉曼光譜。

 
圖2. 單層石墨烯的表面動(dòng)態(tài)電導(dǎo)率與其化學(xué)勢(shì)的關(guān)系。

 
圖3. GSHW的準(zhǔn)-TE模態(tài)分布。(a)電場(chǎng)x分量。(b)電場(chǎng)y分量。(c)電場(chǎng)z分量。

 
圖4. PGSHW的準(zhǔn)-TE模態(tài)分布。(a)電場(chǎng)x分量。(b)電場(chǎng)y分量。(c)電場(chǎng)z分量。

 
圖5. 與GSHWs集成的脈沖激光器的示意圖。

 
圖6. (a)泵浦功率為387 mW時(shí)CW態(tài)和調(diào)Q態(tài)的光譜。(b)示波器顯示的調(diào)Q脈沖時(shí)域序列。插圖顯示了兩個(gè)相鄰脈沖的放大視圖。

 
圖7. (a)平均輸出功率與泵浦功率之比。使用單層石墨烯的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)用黑色實(shí)心方塊表示。(b)脈沖寬度和脈沖重復(fù)率隨泵浦功率增加時(shí)的變化。(c)脈沖能量和脈沖峰值功率與泵浦功率的關(guān)系。

 
圖8. (a)使用P-GSHW的激光腔調(diào)q脈沖的時(shí)域序列。插圖顯示了單個(gè)脈沖的波形。(b)調(diào)q鎖模脈沖。插圖顯示了單個(gè)調(diào)q鎖模脈沖包絡(luò)的細(xì)節(jié)。
 
        相關(guān)研究成果由華中科技大學(xué)、武漢光電國家研究中心Meng Deng等人于2023年發(fā)表在Optics and Laser Technology (https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2023.109140)上。原文:Generation of Q-switched pulses on a graphene-silica hybrid waveguide。

轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)
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