隨著石墨烯產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，低成本可持續(xù)地合成單層氧化石墨烯（GO），對(duì)于諸如水脫鹽、熱管理、儲(chǔ)能以及功能復(fù)合材料等眾多應(yīng)用而言，愈發(fā)重要。與傳統(tǒng)化學(xué)氧化方法相比，石墨插層化合物（GIC）的水電解氧化在環(huán)境友好性、安全性和效率方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，但卻存在氧化不均勻的問(wèn)題，通常產(chǎn)率約為50 wt.%，且單層產(chǎn)物占比約50%。在此，作者的研究表明，水誘導(dǎo)的GIC脫插層作用是導(dǎo)致水電解氧化法氧化不均勻的原因。通過(guò)原位實(shí)驗(yàn)，揭示了控制GIC電化學(xué)氧化和脫插層過(guò)程的水?dāng)U散控制原理?；谶@些原理，我們開(kāi)發(fā)了一種液膜電解方法，以精確控制水?dāng)U散，從而在氧化與脫插層之間實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)平衡，使得能夠以高產(chǎn)率（約180 wt.%）和極低的成本（約為Hummers法的1/7）實(shí)現(xiàn)均勻單層GO的工業(yè)化可持續(xù)合成。此外，該方法能夠精確控制GO的結(jié)構(gòu)，并且可以使用純水合成GO。這項(xiàng)工作為理解水在石墨電化學(xué)反應(yīng)中的作用提供了新的視角，為GO的工業(yè)化應(yīng)用鋪平了道路。
Fig 1. 一級(jí)硫酸插層石墨化合物（SA - GIC - I）吸水導(dǎo)致的脫插層現(xiàn)象（DIWA）及其對(duì)電化學(xué)（EC）氧化合成的氧化石墨烯（GO）薄片性能的影響。新合成的SA - GIC - I的照片（a，藍(lán)色區(qū)域）；在空氣中吸水后脫插層的SA - GIC（b，淺灰色區(qū)域，于20 ℃、濕度70 % 的空氣中放置50分鐘）；在水中吸水后脫插層的SA - GIC（c，深灰色區(qū)域，在水中浸泡5秒）。d 為（a - c）中所示樣品對(duì)應(yīng)的X射線衍射（XRD）圖譜。比較SA - GIC - I在不同濕度空氣中脫插層所需時(shí)間（e）以及在不同硫酸（SA）濃度的硫酸水溶液中脫插層所需時(shí)間（f）。通過(guò)對(duì)一級(jí)、二級(jí)和三級(jí)SA - GIC進(jìn)行乳液電解氧化合成的GO薄片的性能：（g）擬合后的X射線光電子能譜（XPS），其中虛線表示對(duì)應(yīng)不同碳結(jié)合模式的解卷積峰；（h）拉曼光譜；（i）紫外 - 可見(jiàn)（UV - Vis）光譜。比例尺：（a）1 cm；（b）1 cm；（c）1 cm。
Fig 2. 電化學(xué)氧化過(guò)程中 SA - GIC - I 陽(yáng)極的吸水脫插層（DIWA）與水電解氧化（OWE）的原位研究。a 原位實(shí)驗(yàn)裝置示意圖。b 裝置 I：乳液電解，時(shí)間序列照片展示了 SA - GIC - I 的逐步水電解氧化過(guò)程。c 裝置 II：使用少量硫酸水溶液電解質(zhì)進(jìn)行局部接觸電解，時(shí)間序列照片展示了 SA - GIC - I 的逐步吸水脫插層過(guò)程。d 裝置 III：使用適量硫酸水溶液電解質(zhì)進(jìn)行局部接觸電解，時(shí)間序列照片展示了快速且均勻的電化學(xué)氧化過(guò)程。e 裝置 IV：浸沒(méi)在過(guò)量硫酸水溶液電解質(zhì)中進(jìn)行電解，時(shí)間序列照片展示了吸水脫插層速率快于水電解氧化速率，導(dǎo)致氧化不均勻。f 從（b - e）中標(biāo)注區(qū)域獲取的拉曼光譜。水?dāng)U散速率對(duì)氧化電壓（g）和硫酸濃度（h）的依賴關(guān)系。比例尺：（b）200 微米；（c）100 微米；（d）100 微米；（e）100 微米。
Fig 3. 通過(guò)液膜電解（LME）高產(chǎn)率合成均勻的氧化石墨烯（GO）。a 基于溶解性和密度差異，硫酸（SA）、四氯化碳（CCl?）、硫酸/水（SA/Water）和石蠟油（PA）的分層現(xiàn)象（靜置1個(gè)月，左圖）。b 基于溶劑分層的SA - GIC - I的液膜電解氧化。c 通過(guò)液膜電解合成的GO水溶液。傅里葉變換紅外光譜（FTIR）對(duì)比（d）、擬合后的X射線光電子能譜C1s精細(xì)譜（其中虛線表示對(duì)應(yīng)不同碳結(jié)合模式的解卷積峰）（e），以及通過(guò)液膜電解（EGO）和Hummers法（HGO）合成的GO的拉曼光譜對(duì)比（f）。掃描電子顯微鏡（SEM）圖像（g）、原子力顯微鏡（AFM）圖像（h）、透射電子顯微鏡（TEM）圖像及相應(yīng)的選區(qū)電子衍射（SAED）圖案（插圖）（i）、EGO的層數(shù)分布（j）和橫向尺寸分布（k）。（h）中的插圖是沿白色線條獲取的EGO薄片的高度輪廓。l 雷達(dá)圖對(duì)比現(xiàn)有水電解氧化法（黑色）、Hummers法（藍(lán)色）和液膜電解法（紅色），其中穩(wěn)定性以zeta電位的絕對(duì)值衡量。比例尺：（a）1厘米；（b）1厘米；（c）1厘米；（g）10微米；（h）2微米；（i）2微米（插圖，51 nm?¹）。
Fig 4. 通過(guò)液膜電解（LME）調(diào)控氧化石墨烯（GO）的結(jié)構(gòu)與性能。a 在不同氧化電壓下合成的GO樣品，其橫向尺寸、碳氧比（C/O）與zeta電位之間的關(guān)系。b 在2.8 V氧化電壓下，不同硫酸濃度合成的GO片層，其碳氧比、單層占比與zeta電位之間的關(guān)系。在2.8 V氧化電壓下使用純水合成的GO的表征：(c) zeta電位（插圖為GO分散液）；(d) 偏光光學(xué)顯微鏡（POM）圖像；(e) 原子力顯微鏡（AFM）圖像。在2.8 V氧化電壓下使用質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%硫酸合成的GO的表征：(f) zeta電位（插圖為GO分散液）；(g) POM圖像；(h) AFM圖像。比例尺：(c) 5厘米（插圖）；(d) 500微米；(e) 10微米；(f) 5厘米（插圖）；(g) 500微米；(h) 10微米。
Fig 5. 通過(guò)液膜電解（LME）實(shí)現(xiàn)均勻氧化石墨烯（GO）的工業(yè)化生產(chǎn)。a 工業(yè)液膜電解設(shè)備的照片。b 工業(yè)液膜電解設(shè)備中使用的石墨紙卷。c 由工業(yè)液膜電解設(shè)備生產(chǎn)的氧化石墨紙，呈現(xiàn)出明顯的黃色。d 工業(yè)液膜電解設(shè)備在3天內(nèi)生產(chǎn)出500千克（質(zhì)量分?jǐn)?shù)1.2%）的氧化石墨烯分散液。e 液膜電解法與Hummers法工業(yè)化生產(chǎn)氧化石墨烯的關(guān)鍵參數(shù)對(duì)比。比例尺：(a) 50厘米；(b) 20厘米；(c) 20厘米；(d) 20厘米。
相關(guān)研究工作由中國(guó)科學(xué)院金屬研究所Wencai Ren團(tuán)隊(duì)于2025年發(fā)表在《Nat. Commun》期刊上，Control of water for high-yield and low-cost sustainable electrochemical synthesis of uniform monolayer graphene oxide.原文鏈接： https://doi.org/10.1038/s41467-025-56121-4
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)
