鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PSC）因高效率（實(shí)驗(yàn)室PCE超25%）、低成本及優(yōu)異光學(xué)特性成為光伏領(lǐng)域焦點(diǎn)。其維度多樣性（0D至3D）與混合集成策略為平衡效率與穩(wěn)定性提供了新方向。
0D結(jié)構(gòu)：全無(wú)機(jī)CsPbBr3的性能依賴3D向0D（Cs4PbBr6）的相控制，避免0D相可提升性能。0D有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化材料（如MA4PbX6·2H2O）經(jīng)熱退火可轉(zhuǎn)化為3D相，且MABI基器件在Au接觸下表現(xiàn)出低遲滯和高穩(wěn)定性。
1D結(jié)構(gòu)：1D鈣鈦礦（如納米棒、納米線）通過(guò)鈍化表面缺陷、改善結(jié)晶度，顯著增強(qiáng)穩(wěn)定性。例如，添加CBAH構(gòu)建1D納米棒覆蓋層，或利用1D-PNWs鈍化晶界，均能提升器件性能。
2D結(jié)構(gòu)：準(zhǔn)2D鈣鈦礦因環(huán)境穩(wěn)定性突出而受關(guān)注。添加NH4SCN、優(yōu)化薄膜垂直取向，或引入甲脒陽(yáng)離子結(jié)合組分工程，可同時(shí)改善穩(wěn)定性和效率，推動(dòng)商業(yè)化進(jìn)程。
3D結(jié)構(gòu)：界面缺陷導(dǎo)致的載流子復(fù)合是效率瓶頸。雙面鈍化（如大體積有機(jī)陽(yáng)離子基鹵化物）可抑制缺陷，提升性能。此外，無(wú)鉛鈣鈦礦（如en-FASnI3）在環(huán)保與效率間尋求突破。
混合維度集成：3D鈣鈦礦的穩(wěn)定性不足是產(chǎn)業(yè)化難題?；旌暇S度設(shè)計(jì)通過(guò)引入長(zhǎng)鏈有機(jī)陽(yáng)離子或整合不同維度優(yōu)勢(shì)（如0D/3D、1D/3D），在保持高效率的同時(shí)增強(qiáng)穩(wěn)定性，成為研究熱點(diǎn)。
Fig. 1 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的維度多樣性及混合維度集成潛力概覽。本圖系統(tǒng)總結(jié)了鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PSC）中不同維度（0D、1D、2D、3D）的結(jié)構(gòu)特性及其協(xié)同集成策略：
0D結(jié)構(gòu)（如量子點(diǎn)、孤立八面體單元）：優(yōu)勢(shì)：高缺陷容忍度、可調(diào)光學(xué)帶隙。挑戰(zhàn)：相分離、載流子傳輸受限。應(yīng)用：作為3D鈣鈦礦表面鈍化層或光吸收增強(qiáng)組分。
1D結(jié)構(gòu)（納米線、納米棒）：優(yōu)勢(shì)：一維載流子傳輸路徑、晶界鈍化能力。策略：通過(guò)添加劑（如CBAH）定向生長(zhǎng)1D覆蓋層，減少界面復(fù)合。
2D結(jié)構(gòu)（層狀鈣鈦礦、Ruddlesden-Popper相）：優(yōu)勢(shì)：優(yōu)異環(huán)境穩(wěn)定性、各向異性電荷傳輸。設(shè)計(jì)：垂直取向薄膜優(yōu)化載流子提取，引入甲脒陽(yáng)離子提升吸光效率。
3D結(jié)構(gòu)（傳統(tǒng)塊體鈣鈦礦）：優(yōu)勢(shì)：高載流子遷移率、成熟制備工藝。瓶頸：界面缺陷導(dǎo)致非輻射復(fù)合，濕度/熱穩(wěn)定性不足。
混合維度集成（如0D/3D、1D/3D、2D/3D）：協(xié)同效應(yīng)：結(jié)合高穩(wěn)定性（低維）與高效電荷傳輸（3D）。實(shí)例：2D/3D異質(zhì)結(jié)鈍化界面缺陷，1D納米線增強(qiáng)3D薄膜機(jī)械韌性。目標(biāo)：平衡效率-穩(wěn)定性矛盾，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
說(shuō)明：圖中可標(biāo)注關(guān)鍵參數(shù)（如各維度對(duì)應(yīng)的典型PCE、穩(wěn)定性數(shù)據(jù)）。箭頭或連線可示意維度間集成路徑（如相轉(zhuǎn)化、外延生長(zhǎng)）。對(duì)比色塊可突出不同維度的性能優(yōu)劣勢(shì)（如紅色-挑戰(zhàn)，綠色-優(yōu)勢(shì)）。如需進(jìn)一步細(xì)化圖示元素或補(bǔ)充數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)，請(qǐng)?zhí)峁┚唧w設(shè)計(jì)要求。
Fig. 2 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料設(shè)計(jì)與性能優(yōu)化。本圖系統(tǒng)展示多種鈣鈦礦材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、性能調(diào)控及其穩(wěn)定性提升策略：（a-g）全無(wú)機(jī)CsPbBr3電池的相調(diào)控與界面工程。（a） 多步法制備流程示意圖，通過(guò)相控制優(yōu)化CsPbBr3結(jié)晶質(zhì)量。（b） 含Cs4PbBr6相（橙色曲線）與純CsPbBr3（藍(lán)色曲線）的J-V曲線對(duì)比，0D相Cs4PbBr6導(dǎo)致載流子復(fù)合加?。?zwnj;c），降低填充因子。（d-e） ReSe2修飾的全無(wú)機(jī)CsPbBr3電池結(jié)構(gòu)及能級(jí)匹配設(shè)計(jì)，ReSe2層增強(qiáng)載流子提?。?zwnj;f）。含ReSe2器件效率（g）提升20%，且穩(wěn)定性顯著優(yōu)于對(duì)照組。（h-k）有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦的熱處理效應(yīng)。（h） MA4PbI6·2H2O（0D，左）經(jīng)100℃退火轉(zhuǎn)化為3D MAPbI3（右），晶體結(jié)構(gòu)重組消除水合缺陷。（i） 退火后樣品（紅色曲線）吸光度顯著提升，冷卻后（藍(lán)色虛線）維持高光吸收特性。（j-k） MABI基器件在Au電極（紅色）下展示低遲滯J-V曲線（j），且1500小時(shí)老化后PCE保持初始值90%（k），遠(yuǎn)優(yōu)于Ag電極（黑色）。（l-m）無(wú)鉛鈣鈦礦材料探索
（l） (CH3NH3)3Bi2I9吸收層能級(jí)與真空能級(jí)對(duì)齊示意圖，優(yōu)化載流子傳輸路徑。（m） Bi基器件（藍(lán)色曲線）在光照下實(shí)現(xiàn)0.42% PCE，驗(yàn)證無(wú)鉛鈣鈦礦可行性，但效率仍需提升。數(shù)據(jù)來(lái)源：（a-g） 引自：Wiley, 2022 (Ref. 60)；
（h-i） 引自：ACS, 2021 (Ref. 61)；（j-k） 引自：RSC, 2017 (Ref. 83)；
（l-m） 引自：Elsevier, 2016 (Ref. 63)。關(guān)鍵結(jié)論：相控制：抑制0D相（如Cs4PbBr6）可減少?gòu)?fù)合損失，ReSe2界面修飾提升載流子動(dòng)力學(xué)。熱退火：促使0D→3D結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化，消除水合缺陷并增強(qiáng)光學(xué)性能。電極匹配：Au電極與MABI材料兼容性更優(yōu)，顯著延緩器件衰減。無(wú)鉛化：Bi基材料展現(xiàn)環(huán)保潛力，但需突破效率瓶頸。
Fig. 3 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化與穩(wěn)定性提升策略。本圖通過(guò)不同界面修飾、制備工藝及低維材料集成策略，系統(tǒng)探究鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PSC）的光電性能與穩(wěn)定性優(yōu)化：（a-e）界面工程與穩(wěn)定性分析（a） 器件結(jié)構(gòu)示意圖（ITO/SnO2/鈣鈦礦/spiro-OMeTAD），（b） 截面SEM顯示各層均勻致密。（c） CBAH處理后的器件（紅色曲線）J-V特性顯著提升，填充因子（FF）由75%增至82%。（d） 55個(gè)器件的開(kāi)路電壓（Voc）統(tǒng)計(jì)表明，CBAH處理組Voc標(biāo)準(zhǔn)差降低至15 mV，界面均勻性改善。（e） 未封裝器件（藍(lán)色）在濕熱（85% RH, 25°C）下24小時(shí)內(nèi)效率衰減60%，而CBAH處理組（紅色）保持初始效率90%以上。
（f-i）兩步旋涂工藝優(yōu)化；（f） 兩步旋涂法制備鈣鈦礦層的工藝示意圖，（g） 反向掃描J-V曲線顯示UTP 5器件（紅色）PCE達(dá)22.3%。（h） 最優(yōu)器件正反掃遲滯效應(yīng)顯著降低（效率差值<0.5%），（i） 統(tǒng)計(jì)30個(gè)器件PCE，UTP 5組平均效率（21.8±0.5%）遠(yuǎn)高于對(duì)照組（19.5±1.2%）。（j-l）低維材料增強(qiáng)穩(wěn)定性；（j） 碘化鉛量子線（1D結(jié)構(gòu)）的TEM圖像，作為鈣鈦礦前驅(qū)體提升結(jié)晶質(zhì)量。（k） 含量子線器件（N4組）正反掃J-V曲線遲滯效應(yīng)消失，PCE提升至13.1%。（l） N4器件在85%濕度、80°C下老化1000小時(shí)后PCE保持初始值92%，顯著優(yōu)于3D對(duì)照組（衰減45%）。數(shù)據(jù)來(lái)源：（a-e） 引自：Wiley, 2022（Ref. 65）；（f-i） 引自：Elsevier, 2021（Ref. 66）；j-l） 引自：RSC, 2019（Ref. 145）。關(guān)鍵結(jié)論：界面鈍化：CBAH處理減少界面缺陷，提升Voc均一性及濕熱穩(wěn)定性。工藝優(yōu)化：兩步旋涂法結(jié)合UTP添加劑抑制相分離，降低遲滯效應(yīng)。維度調(diào)控：1D量子線增強(qiáng)鈣鈦礦結(jié)晶性，協(xié)同提升效率與濕度/熱穩(wěn)定性。封裝兼容性：低維材料修飾的器件在非封裝條件下展示產(chǎn)業(yè)化潛力。
Fig. 4 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的界面修飾、維度調(diào)控與添加劑工程。本圖通過(guò)多種材料設(shè)計(jì)策略（準(zhǔn)二維結(jié)構(gòu)、晶界鈍化、添加劑摻雜等）系統(tǒng)優(yōu)化鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電性能與穩(wěn)定性：（a-d）準(zhǔn)二維鈣鈦礦的界面鈍化與穩(wěn)定性提升（a） 準(zhǔn)二維ACI GA(MA)?Pb?I??（n=5）器件結(jié)構(gòu)，（b） ImI處理后的器件正反掃遲滯效應(yīng)顯著降低，PCE由18.1%提升至21.3%。（c） 在0.948 V偏壓下，ImI處理器件穩(wěn)態(tài)輸出效率（20.8%）接近J-V測(cè)試值，驗(yàn)證其低能量損失特性。
（d） ImI處理器件在85°C熱老化1000小時(shí)后保持初始效率85%，遠(yuǎn)超MAPbI3對(duì)照組（衰減60%）。（e-h）添加劑工程優(yōu)化能級(jí)匹配與結(jié)晶性（e） NH4SCN添加劑優(yōu)化鈣鈦礦/傳輸層能帶對(duì)齊，（f） 含1.5% NH4SCN器件PCE達(dá)19.4%（對(duì)照組16.2%）。（g） NH4SCN增強(qiáng)載流子壽命，光電流密度提升15%，（h） 在55%濕度下未封裝器件穩(wěn)定性優(yōu)于惰性氣氛（濕度誘導(dǎo)晶界自修復(fù)）。（i-k）晶界處二維/三維異質(zhì)結(jié)設(shè)計(jì)（i） 晶界處引入2D鈣鈦礦鈍化缺陷，（j） 目標(biāo)器件（紅色曲線）PCE達(dá)22.5%，Voc提升至1.15 V。（k） 在50%濕度暗態(tài)環(huán)境中，目標(biāo)器件500小時(shí)后PCE保持95%，而對(duì)照組（純3D）衰減至70%。（l-n）陽(yáng)離子工程與垂直取向調(diào)控（l） FA/MA梯度垂直取向的2D鈣鈦礦實(shí)現(xiàn)高效載流子傳輸，（m） FA/MA混合器件正反掃效率差值<0.3%，PCE達(dá)23.1%。
（n） 低維鈣鈦礦效率總結(jié)顯示，n=5準(zhǔn)二維結(jié)構(gòu)（紅點(diǎn)）在效率-穩(wěn)定性權(quán)衡中表現(xiàn)最優(yōu)。（o-p）添加劑摻雜與無(wú)空穴傳輸層設(shè)計(jì)（o） 6 mol% MACl摻雜優(yōu)化鈣鈦礦層堆疊致密性（插圖），冠軍器件PCE由18.7%提升至21.9%。（p） 無(wú)spiro-OMeTAD的器件通過(guò)M2P前驅(qū)體優(yōu)化，最高PCE達(dá)17.3%，為簡(jiǎn)化器件結(jié)構(gòu)提供新思路。數(shù)據(jù)來(lái)源：（a-d） 引自：ACS, 2022（Ref. 68）；（e-h） 引自：Wiley, 2018（Ref. 69）；（i-k） 引自：Nature, 2018（Ref. 148）；
（l-n） 引自：Wiley, 2022（Ref. 70）；（o） 引自：ACS, 2020（Ref. 149）；
（p） 引自：Wiley, 2020（Ref. 150）。關(guān)鍵結(jié)論：1.界面鈍化：ImI處理與2D/3D異質(zhì)結(jié)有效抑制界面/晶界缺陷，Voc與穩(wěn)定性同步提升。2.添加劑調(diào)控：NH4SCN與MACl優(yōu)化結(jié)晶質(zhì)量與能級(jí)匹配，降低非輻射復(fù)合損失。3.維度工程：準(zhǔn)二維結(jié)構(gòu)（n=5）平衡載流子傳輸與穩(wěn)定性，F(xiàn)A/MA梯度取向增強(qiáng)各向異性電荷提取。4.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化：無(wú)HTL器件通過(guò)前驅(qū)體設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高效低成本，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。注：圖中可標(biāo)注關(guān)鍵參數(shù)（如PCE、Voc、穩(wěn)定性數(shù)據(jù)），并通過(guò)顏色對(duì)比（如紅色-高效、藍(lán)色-對(duì)照組）強(qiáng)化數(shù)據(jù)可視化。
Fig. 5 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的雙面鈍化策略與添加劑穩(wěn)定性優(yōu)化。本圖通過(guò)雙面鈍化技術(shù)與Sn基鈣鈦礦添加劑工程，系統(tǒng)提升器件的效率輸出穩(wěn)定性及耐環(huán)境老化能力：
（a-d）雙面鈍化抑制界面非輻射復(fù)合
（a） 雙面鈍化器件結(jié)構(gòu)（鈣鈦礦層上下界面同步修飾），
（b） 鈍化組PCE波動(dòng)范圍由±1.8%收窄至±0.5%，批次均一性顯著提升。
（c） 雙面鈍化最佳器件（紅色曲線）PCE達(dá)23.7%，填充因子（FF）從78%增至83%，Voc提升至1.18 V。
（d） MPP追蹤顯示鈍化器件（紅色）初始40秒瞬態(tài)波動(dòng)降低（插圖），穩(wěn)態(tài)效率（23.2%）與J-V測(cè)試值偏差<2%，遠(yuǎn)優(yōu)于對(duì)照組（偏差>8%）。
（e-i）Sn基添加劑增強(qiáng)結(jié)晶性與環(huán)境穩(wěn)定性
（e） 含10% en-FASnI3添加劑的鈣鈦礦層截面SEM顯示晶粒尺寸增大至1.2 μm，針孔缺陷消失。
（f） 10% en-FASnI3器件（藍(lán)色曲線）PCE達(dá)20.1%，較無(wú)添加劑組（黑色）提升35%。
（g） 在AM1.5G光照、空氣環(huán)境中，含添加劑器件（紅色）500小時(shí)后PCE保持初始值92%，對(duì)照組（黑色）衰減至60%。
（h） 最優(yōu)器件正反掃遲滯因子低至0.02，驗(yàn)證添加劑對(duì)離子遷移的有效抑制。
（i） 封裝器件在室溫暗態(tài)存儲(chǔ)1500小時(shí)后效率保持95%，滿足產(chǎn)業(yè)化長(zhǎng)期穩(wěn)定性要求。
數(shù)據(jù)來(lái)源：
·
（a-d） 引自：ACS, 2020（Ref. 109）；
·
（e-i） 引自：Science, 2017（Ref. 115）。
關(guān)鍵結(jié)論：
00001.
雙面鈍化：同步修飾鈣鈦礦/ETL/HTL界面，降低載流子復(fù)合率，提升Voc與批次均一性。
00002.
添加劑工程：en-FASnI3優(yōu)化Sn基鈣鈦礦結(jié)晶質(zhì)量，協(xié)同抑制離子遷移與氧/水滲透。
00003.
環(huán)境魯棒性：添加劑修飾的未封裝器件在空氣中展示優(yōu)異光熱穩(wěn)定性，加速老化壽命超500小時(shí)。
00004.
遲滯效應(yīng)：雙面鈍化與添加劑協(xié)同作用使遲滯因子趨近于零，適用于真實(shí)工況MPP追蹤。
總結(jié)與展望：PSC的核心挑戰(zhàn)在于長(zhǎng)期穩(wěn)定性、可擴(kuò)展性及毒性問(wèn)題。未來(lái)需通過(guò)鈍化技術(shù)、界面工程及精密晶體調(diào)控進(jìn)一步優(yōu)化材料，并探索混合維度的協(xié)同機(jī)制。柔性、輕質(zhì)及多場(chǎng)景應(yīng)用（如可穿戴設(shè)備）是潛在方向。推動(dòng)PSC從實(shí)驗(yàn)室走向市場(chǎng)，需在效率、成本與耐久性間實(shí)現(xiàn)突破，助力其成為清潔能源的關(guān)鍵技術(shù)。
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)
