石墨烯，這一2004年發(fā)現的碳晶體家族中的新成員，集多種優(yōu)異特性于一身，其電子遷移率高于硅材料兩個級數表明石墨烯有望替代半導體工業(yè)中的硅材料。然而，石墨烯為零帶隙半導體，因此能否有效調控其電學性質決定著這種新材料在微電子等行業(yè)的應用前途。 摻雜被認為是調控石墨烯電學性質的有效手段之一，但石墨烯完整的二維蜂窩狀結構給其摻雜帶來很大困難。為了解決這一難題，國家納米科學中心宮建茹研究組采用離子注入技術，通過高能離子轟擊使石墨烯產生碳原子空位缺陷。然后，在氨氣氣氛中高溫退火，利用氨氣分解產生的氮原子來填補碳原子空位缺陷，實現了在石墨烯中氮原子的摻雜。由氮原子摻雜后的石墨烯制備的場效應器件具有n型導電性質，進一步證實了氮原子的摻雜效果。另外，通過調節(jié)離子注入劑量、退火溫度等條件，能夠實現精確可控的原子摻雜，對石墨烯的理論研究和實際應用都具有重要意義。 相關研究結果已發(fā)表在2010年的Nano Letters上（Nano Lett. 2010, 10, 4975–4980.），并被Nature Publishing Group (NPG) Asia Materials做為特色研究進行報道。 除石墨烯納米器件的物理性質研究外，該研究組還將納米器件應用于傳感領域，能夠實現無標記高靈敏度的生物分子檢測，其結果發(fā)表在Small 2010, 6(8), 967-973。 上述研究工作得到中國科學院、國家自然科學基金委以及科技部項目的支持。
