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吉倉產(chǎn)品
Graphenea石墨烯場效應(yīng)晶體管mGFET-4P

4*4芯片，用于傳感應(yīng)用，也與液體介質(zhì)中的測量兼容。


·生長方法：CVD合成
·聚合物輔助轉(zhuǎn)移
·模具尺寸：4 mm x 4 mm
·切屑厚度：525μm
·每個(gè)芯片的通道數(shù)：28
·柵極氧化物厚度：90 nm
·柵極氧化物材料：SiO2
·襯底電阻率：1-10Ω·cm
·金屬化：Au觸點(diǎn)
·封裝：200 nm基于谷氨酰胺的聚合物
·石墨烯場效應(yīng)遷移率：>1000 cm2/V.s
·狄拉克點(diǎn)（PBS中的液體門控）：<1 V
·收益率：>75%

資料下載：Graphenea mGFET_4x4P (www.ycmtech.com)

價(jià)格：6000元/盒，4片/盒
jc@www.ycmtech.com
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